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当地时候9月5日，好意思国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》上发布了一项临时最终国法（IFR），升级了对量子计较、先进半导体制造、GAAFET等关联技能的出口料理。

具体来说，该IFR 涵盖了：量子计较、关联组件和软件；先进的半导体制造；用于开辟超等计较机和其他高端建筑的高性能芯片的环绕栅极场效应晶体管 (GAAFET) 技能；以及用于制造金属或金属合金部件的增材制造器具。

1、量子计较关联：

跟着具有更大批子位的更大型的量子计较机的开辟，适度电路必须在低温恒温器内出动以减少这些延长。现在，传统CMOS器件的一般温度下限为-40°C（233K）。CMOS策划现在正在开辟中，以适用于在4K或以下温度下职责，用于量子计较。出于这些原因，BIS在CCL中添加了3A901.a，以适度3A001.a.2中未指定的CMOS集成电路，这些电路策划用于在便是或低于4.5 K（-268.65°C）的环境温度下动手。这一补充附带了一份技能诠释，主要为止“低温CMOS或低温CMOS集成电路。”

量子计较花式中的一个要津功能是读取非常幽微的信号的才调。为了扩张该功能，量子比特和信号放大器需要冷却到非常低的温度以扼制噪声。因此，BIS在CCL中添加了3A901.b，以适度在极低温度、指定频率和噪声统共参数下职责的参数信号放大器。还添加了一个真贵和一个技能真贵，诠释“参数信号放大器包括行波参数放大器（TWPA）”和“参数信号功放也可称为量子限幅放大器（QLA）。”字据3A901.a端正的CMOS集成电路和3A901.b端正的参数信号放大器需要得回整个认识地的许可证。

此外，量子计较芯片所需的低温晶圆探伤建筑（3B904）也被进一步为止。低温晶圆探伤器的认识是扩大基于固态量子位和其他类型量子位的量子计较。低温量子器件、电子学和探伤器的发展不错从低温晶片探伤器提供的更好的器件特质中受益。某些低温晶片探伤器将加速被测量子比特器件的测试和表征（大容量数据的齐集）。这在开辟历程中提供了一个赫然的上风，传统上，低温测试需要更多的时候。出于这个原因，BIS以为，这些建筑需要出口料理。因此，BIS正在CCL中添加ECCN 3B904，以适度指定的低温晶片探伤建筑。字据国度安全适度和许可证审查计谋集的端正，ECCN 3B904中指定的花式对整个认识地的NS和RS进行适度。

2、GAAFET及关联

针对3nm以下制程所需要采选的GAAFET，BIS在通用许可证中增多了两项授权，以补充第736部分第4号通用号召的第1项，即GAAFET出口、再出口和转让（国内）到现在与好意思国工业协作的实体，认识地为EAR国度组A:5或A:6中指定的认识地，以及ECCN 3E905中指定的GAAFET“技能”和“软件”的视同出口和视同再出口到已受雇于实体的外籍职工或承包商，其最近的公民身份或耐久居留权是国度组中指定的认识。

另外，由于好意思国此前照旧对GAAFET策划软件进行了出口料理，因此，与GAAFET关联的制造建筑这次也一并受到了为止。

3、半导体建筑

3B001用于制造半导体器件、材料或关联建筑的建筑，如下（见受控物品清单）至极“零散策划”的“组件”和“配件”：

基于列表的许可证例外（推敲整个许可证例外的形色，请参阅第740部分）

LVS:500，3B001.a.4、c、d、f.1.b、j至p中端正的半导体制造建筑除外。

GBS：a.3（使用气体源的分子束外延助长建筑）、c.1.a（为各向同性干法蚀刻策划或修改的建筑）、c.1.c（为各向异性干法蚀刻策划和修改的建筑”）、.e（仅当相接到由3B001.a.3或.f适度的建筑时才自动装载多腔中央晶片处理系统）、.f（光刻建筑）和.q（为集成电路策划的“EUV”掩模和掩模，未在3B001.g中指定，并具有3B001.j中指定的掩模“基板空缺”）除外。

IEC：3B001.c.1.a、c.1.c和.q为是，见《出口搞定条例》第740.2（a）（22）条和第740.24条。

STA的零散条目

STA：许可证例外STA不得用于将3B001.c.1.a、c.1.c或.q运载到国度组a:5或a:6中列出的任何认识地（见EAR第740部分补充1）。

受控花式清单：

关联适度：另见3B903和3B991

花式：

a.策划用于外延助长的建筑如下：

a.1.策划或改装的建筑，用于在75毫米或更长的距离内出产厚度均匀小于±2.5%的硅之外的任何材料层；

注：3B001.a.1包括原子层外延（ALE）建筑。

a.2：金属有机化学气相千里积（MOCVD）反馈器，策划用于化合物半导体外延助长具有以下两种或多种元素的材料：铝、镓、铟、砷、磷、锑或氮；

a.3：使用气体或固体源的分子束外延助长建筑；

a.4：为硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe外延助长而且具有以下整个特质：

a.4.a.多个腔室，并在工艺才调之间保捏高真空（便是或小于0.01 Pa）或惰性环境（水和氧气分压小于0.01帕）；

a.4.b.至少一个预清洁室，其策划用于提供名义处理装配以清洁晶片的名义；和

a.4.c.外延千里积操作温度为685°c或以下；

b.策划用于离子注入的半导体晶片制造建筑，具有以下任何一项：

b.1：[保留]

b.2：被策划和优化为在20keV或更高的束能量和10mA或更大的束电流下职责，用于氢、氘或氦注入；

b.3：平直写入才调；

b.4：用于将高能氧注入加热的半导体材料“基板”的65keV或更高的束能量和45mA或更高束电流；或

b.5：被策划和优化为在20keV或更高的束能和10mA或更大的束流下职责，用于将硅注入加热到600˚C或更高温度的半导体材料“基板”；

c.蚀刻建筑：

c.1：策划用于干法蚀刻的建筑如下：

c.1.a.为各向同性干法蚀刻而策划或修改的建筑，其最大“硅锗对硅（SiGe:Si）蚀刻弃取性”大于或便是100:1；或

c.1.b.为介电材料的各向异性蚀刻而策划或修改的建筑，简略制造纵横比大于30:1、顶面横向尺寸小于100nm的高纵横比特征，并具有以下整个特征：

c.1.b.1：具有至少一个脉冲RF输出的射频（RF）电源；和

c.1.b.2：一个或多个切换时候小于300毫秒的快速气体切换阀；或

c.1.c：为各向异性干法蚀刻而策划或修改的建筑，具有以下整个特征；

c.1.c.1：具有至少一个脉冲RF输出的射频（RF）电源；

c.1.c.2：一个或多个切换时候小于300毫秒的快速气体切换阀；和

c.1.c.3：带有二十个或更多可单独适度的可变温度元件的静电卡盘；

c.2：策划用于湿化学处理的建筑，其最大“硅锗对硅（SiGe:Si）蚀刻弃取性”大于或便是100:1；

注1:3B001.c包括“解放基”、离子、端正反馈或非端正反馈的蚀刻。

注2:3B001.c.1.c包括使用RF脉冲激勉等离子体、脉冲占空比激勉等离子体、电极上的脉冲电压修饰等离子体、与等离子体并吞的气体轮回注入和净化、等离子体原子层蚀刻或等离子体准原子层蚀刻的蚀刻。

4、增材制造建筑（i.ECCN 2B910）

BIS对ECCN 2D910和2E910中增材制造建筑（2B910）的“技能”和“软件”的番邦东说念主实施视同出口和再出口料理。

好意思国工业和安全局副部长艾伦·埃斯特维兹在一份声明中暗示：“今天的手脚确保咱们的国度出口料理与飞速发展的技能保捏同步，而且在与外洋伙伴协作时愈加灵验。”“调和咱们对量子和其他先进技能的适度，将使咱们的敌手更难以以胁迫咱们集体安全的形状开辟和部署这些技能。”

有什么转换？

该国法在商务料理清单中增多了新的出口料理分类编号（ECCN），涵盖一般产物类别和才调，而不是特定产物。

这基本上意味着，若是你思从好意思国出口某些类型的产物（已列入或已添加到料理清单的产物），你可能需要得回好意思国政府的许可。这让好意思国有才调为止向某些国度出口某些类型的技能。

举例，料理清单上的新 ECCN B910 指定了与合金制造关联的套件，因为这些物资用于出产导弹、飞机和股东系统的零件。另一个新的 ECCN 是“3A904 低温冷却系统和组件”，要点柔顺“与斟酌具有宽绰物理量子比特的量子系统关联的花式”。此外，还有在ECCN 3E905中对GAAFET增多了两项授权要求。

这些国法增多了 18 个 ECCN，并更新了 9 个现存 ECCN。这使好意思国简略与其他国度保捏按次一致，主要为止向俄罗斯和伊朗等国运送装备。

2023年好意思国国会斟酌职业处敷陈指出，与其他政府调和出口料理关于确保此类勤劳取得成效至关繁难。该敷陈称：“调和关于旨在梗阻或延长番邦采购某些商品或技能的计谋的灵验性至关繁难。若是商品或技能很容易从番邦得回，这种适度措施的恶果可能会裁减。”

举例，在数年之前好意思国主要通过将一些企业列入“实体名单”进手脚止。然而，好意思国随后意志到，在莫得外洋协作伙伴的调和下，这一举措成功有限。因此，好意思国商务部工业和安全局于2022年10月晓喻新的出口料理措施，旨在阻遏中国获取先进半导体技能。随后，在2023 年，好意思国、日本和荷兰这三个跳跃的芯片制造国欢跃调和勤劳，梗阻中国得回先进的芯片技能。

BIS最新出口料理似乎是加强与盟友协作的进一步例子。好意思国商务部谨慎出口搞定的助理部长西娅·罗兹曼·肯德勒 (Thea D. Rozman Kendler) 在一份声明中暗示：“保护咱们国度安全的最灵验形状是与志同说念合的协作伙伴沿路制定和调和咱们的管控措施，今天的手脚标明了咱们在制定此类管控措施以竣事国度安全认识方面的生动性。”她还补充说，值得信托的协作伙伴不错享受许可豁免。

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